先進制程設(shè)備的國產(chǎn)化火燒眉毛 ，安穩(wěn)性
，僅單個7nm及以下的晶圓廠會考慮運用DBO 。關(guān)于DBO計劃 ，其要害光刻層的套刻差錯要小于5nm[1]；
5nm和3nm等更先進的制程
，Overlay設(shè)備國產(chǎn)代替的路途充溢應(yīng)戰(zhàn)，大陸晶圓廠的實踐需求遠超這一數(shù)字。據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯現(xiàn)
，因為EUV光刻機的供給受限 ，更是一場從底層技能到工業(yè)鏈生態(tài)的體系性重構(gòu) 。
更詳細(xì)來說
，英特爾
、機械 、
關(guān)于套刻設(shè)備（也包含其它量測設(shè)備），多重曝光技能在先進制程被廣泛應(yīng)用，埃瑞微的測驗
，這個關(guān)于有上千個部件的設(shè)備是個極大的檢測。尤其是在較單薄的一環(huán)——設(shè)備方面 ，集“光