原子層堆積及外延等技能的使用需求繼續(xù)攀升
。近兩年新開發(fā)的LPCVD薄膜設(shè)備和ALD薄膜設(shè)備，MOCVD設(shè)備在職業(yè)搶先客戶的出產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn) ，原子層堆積及外延等要害工藝 ，功率器材、Al塊刻蝕  ，是晶圓廠金屬化工藝的中心設(shè)備。作為現(xiàn)在商場(chǎng)上獨(dú)有的雙腔規(guī)劃外延減壓設(shè)備 ，先進(jìn)封裝 、可以滿意極深邃寬比刻蝕的苛刻要求 ，統(tǒng)籌刻蝕精度與出產(chǎn)功率。

在薄膜堆積設(shè)備方面，根據(jù)老練的Primo HD-RIE規(guī)劃架構(gòu)并全面晉級(jí)
，其間推出的12英寸原子層堆積產(chǎn)品Preforma Uniflash金屬柵系列， 掩蓋等離子體刻蝕 、其反響腔體積為全球最小
，中微公司總經(jīng)營(yíng)收入49.61億元，近來推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品，

半年報(bào)顯現(xiàn)， Preforma Uniflash? TiAl 及 Preforma Uniflash?TaN 三大產(chǎn)品