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超精細拋光工藝到達外表粗糙度優于0.2納米(世界干流水平0.3納米);磁控濺射鍍膜設備完結膜層均勻性±2%(世界標準±5%);缺點檢測體系可辨認0.3微米級瑕疵并相關出產數據 。且國產化率較高的國內空白掩模版范疇的搶先企業。具有從工藝到中心設備的研發出產才能 ,

商業化方面,并承當了國家半導體空白掩模版工業鏈攻關項目。我國需求折算約為100億元人民幣。算計B輪融資規劃數億元 。“依靠進口設備的產線存在停擺危險”