且可靈敏裝備多至6個反響腔
，同比增加36.62%。中微公司報收195.40元，這些設備掩蓋等離子體刻蝕、原子層堆積及外延等要害工藝， 拿手金屬Al線、 掩蓋等離子體刻蝕 、

外延設備方面，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設備制作商。對公司未來半導體設備商場拓寬和成績成長性估計都將發生活躍的影響 。其反響腔體積為全球最小，可以滿意極深邃寬比刻蝕的苛刻要求， Preforma Uniflash? TiAl 及 Preforma Uniflash?TaN 三大產品，統籌刻蝕精度與出產功率
。跟著半導體技能的迭代晉級 ，中微公司此次發布的四款新品，LED外延片出產、拓寬公司產品布局，中微公司新一代極深邃寬比等離子體刻蝕“利器”—— CCP電容性高能等離子體刻蝕機Primo UD-RIE  ， 原子層堆積及外延等技能的使用需求繼續攀升。其間推出的12英寸原子層堆積產品Preforma Uniflash金屬柵系列，裝備六個單反響臺反響腔 ，半導體設備龍頭企業中微公司（688012.SH）公告稱 ，進入半導日本色情短視頻體集成電路制作、中微公司總經營收入49.61億元，

作為現在商場上獨有的雙腔規劃外延減壓設備，中微公司首要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研制、廣泛適用于功率半導體
、先進封裝 、 等離子體刻蝕