而經過丈量衍射圖譜的對稱性就能夠取得套刻差錯的信息
。埃瑞微的打破不只填補了國產套刻設備的要害一環，首款設備面向28~14nm Logic/Memory晶圓廠，是精度要求最?的前道量測設備之一。例如，如下圖所示：

（1）Box-in-Box mark

（2）Bar-in-Bar mark

（3）AIM mark

以Bar-in-Bar mark為例，假如這兩層圖形徹底對準 ，從而核算出兩層的套刻差錯。最大的難點仍是設備的一起性（Tool-to-Tool Matching) 
。

根據圖畫的丈量（IBO）

選用IBO技能的套刻設備，大陸晶圓廠在28nm及以上老練制程的擴產熱潮為國產設備供給了商場機會。這一比例會變得更小。而進入當時層工藝之后，內圈較暗的條形圖畫為當時層的套刻標識經過顯影之后留下的圖畫，尤其是在28nm及以下先進制程的要害膜層 ，薄膜堆積等工藝留在晶圓外表的圖畫 。所得到丈量成果與均勻值的規范差錯(σ)