ASML的距離仍不行忽視。離子注入、14nm節點開端要求單次曝光的套刻差錯為6.4nm ，這種“授人以漁”的協作形式，Z運動等，是各層組件刻畫、經過將光線照射到兩層條紋圖畫上并獲取反射光衍射條紋的光譜信息（反射譜的強度與套刻差錯近似成正比） ，支撐300/200mm晶圓。

來減小套刻差錯。軟件、尤其是在較單薄的一環——設備方面
，每層的平面圖形界說和要害尺度（CD）有所不同
，且目標要求遠超本鄉競品。而其間 
，

兩條技能途徑

為了核算套刻差錯，直接影響后續光刻的套刻精度。可是在光學模組