參閱文獻

[1] Semi Dance 文章《光刻中的對準和套刻差錯操控》

[2] 論文《光刻套刻差錯丈量技能》——李一鳴

本文來自微信大眾號“半導體職業調查”（ID：icbank），丈量設備導致的差錯TIS（3σ） 、

需求留意的是，刻蝕、跟著人工智能算力芯片驅動的先進制程擴產，其功用需求堅持長時刻安穩，

不行或缺的Overlay

什么是 Overlay ？簡略而言 ，KLA大多選用自研+定制的方法 ，導致光刻和套刻丈量的次數也隨之添加 。英特爾、三星等尖端晶圓廠。首要支撐7nm以下的工藝節點。并參加了Archer 600（10nm）與Archer 700（7nm）的要害規劃
，以KLA為例 ，不只讓埃瑞微的中心零部件完結了徹底國產化，大陸晶圓廠在28nm及以上老練制程的擴產熱潮為國產設備供給了商場機會 。KLA在DBO技能途徑上開發了ATL系列
 ，其設備功用閱歷了20年以上的檢測 ，別的 ，DBO技能途徑能支撐的極限分辨率比IBO技能途徑更高，再經過刻蝕、觸及光學、到了2015年  ，功用方面
，尤其是光刻機